真空压力法氦质谱检漏
采用真空压力法检漏时，需要将被检产品整体放入真空密封室内，真空密封室与辅助抽空系统和检漏仪相连，被检产品的充气接口通过连接管道引出真空密封室后，再与氦气源相连，当被检产品表面有漏孔时，氦气就会通过漏孔进入真空密封室，再进入氦质谱检漏仪，从而实现被检产品总漏率的测量。检测时首先探测到氦气的，得到氦气的水含量，再利用色谱仪计算出氢气、氧气、C02气体等杂质。
真空压力法的优点是检测灵敏度高，能实现任何工作压力的漏率检测，反映被检件的真实泄漏状态。
真空压力法的缺点是检漏系统复杂，需要根据被检产品的容积和形状设计真空密封室。这里需要说明在检漏过程要求确保充气管道接口无泄漏，或者采取特殊的结构设计将所有充气管道连接接口放置在真空密封室外部。
真空压力法的检测标准有GB /T 15823-2009《氦泄漏检验》，主要应用于结构简单、压力不是特别高的密封产品，如电磁阀、高压充气管道、推进剂贮箱、天线、应答机、整星产品等。
喷氦法氦质谱检漏方法
这是常用的一种方法,一般用于检测体积相对较小的部件,将被检器件和仪器连通,在抽好真空后,在被检器件可能存在漏孔的地方(如密封接头,焊缝等) 用喷枪喷氦,如图4 所示,如果被检器件某处有漏孔,当氦喷到漏孔上时,氦气立即会被吸入到真空系统,从而扩散到质谱室中,氦质谱检漏仪的输出就会立即有响应,使用这种方法应注意:氦气是较轻的惰性气体,在喷出后会自动上升,为了准确的在漏孔位置喷氦,喷氦时应自上而下,由近至远(相对检漏仪位置) ,这是因为在喷下方时氦气有可能被上方漏孔吸入,就很难确定漏孔的位置;再者漏孔离质谱室的距离检漏仪反应时间也不同,所以喷氦应先从靠近检漏仪的一侧开始由近至远来进行。科创真空专业提供氦检漏服务，如果您想了解更多产品信息您可拨打图片上的电话进行咨询。
氦气在在半导体中的检漏作用
为了防止半导体器件、集成电路等元器件的表面因玷污水汽等杂质而导致性能退化，就必须采用管壳来密封。但是在管壳的封接处或者引线接头处往往会因为各种原因而产生一些肉眼难以发现的小洞，所以在元器件封装之后，就需要采取某些方法来检测这些小洞的存在与否。 氦气检漏就是采用氦气来检查电子元器件封装管壳上的小漏洞。因为氦原子的尺寸很小，容易穿过小洞而进入到管壳内部，所以这种检测方法能够检测出尺寸很小的小洞（即能够检测出漏气速率约为10?11～10?12cm3/sec的小洞），灵敏度可与性检漏方法匹敌，但要比性检漏方法简便。背压法的缺点是不能进行大型密封容器的漏，否则由于密封腔体容积太大，导致加压时间太长。
氦气检漏试验的方法：首先把封装好的元器件放入充满氦气的容器中，并加压，让氦气通过小洞而进入管壳中；然后取出，并用压缩空气吹去管壳表面的残留氦气；接着采用质谱仪来检测管壳外表所漏出的氦气。
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