半导体真空腔体的应用
中国半导体真空腔体市场近几年快速发展,越来越多的公司也表达了进入芯片领域的兴趣.以存储芯片为例,以前中国国内存储芯片完全靠进口,今年福建晋华集成电路的内存生产线有望投产,另外长江存储科技公司也在建设内存和闪存芯片生产线.格力、康佳等传统家电企业也表示,将进入芯片领域.
据国际半导体设备与材料协会报告显示,中国目前正在天津、西安、北京、上海等16个地区打造25个FAB建设项目,福建晋华集成电路、长江存储科技公司等企业技术水平虽不及韩国,但均已投入芯片量产.报告预测,今年中国半导体设备市场规模有望达118亿美元,实现同比43.9%的增长,并且明年市场规模有望扩大至173亿美元,增长46.6%,成为大市场.而同一时期内韩国的半导体设备市场规模从179.6亿美元减少至163亿美元,减幅为9.2%.中国超越韩国成为全球很大半导体设备市场.
真空腔体加工的注意事项
焊接是真空腔体制作中的环节之一。通常采用弧焊来完成焊接，可避免大气中熔化的金属和氧气发生化学反应而影响焊接质量，弧焊是指在焊接过程中向钨电极周围喷射保护气体气，以防止熔化后的高温金属发生氧化反应。
超高真空腔体的弧焊接，原则上必须采用内焊，即焊接面是在真空一侧，以免存在死角而发生虚漏。真空腔体不允许内外双重焊接和双重密封
个大气压在1cm2的面积上产生约1kgf的压力，对直径20cm的法兰来讲，就是1t的压力。圆筒或球形的腔体，由于构造的特殊性使得压力分散，腔体的壁厚2～4mm就不会变形。
但是，对于方形腔体，侧面的平板上要承受上吨的压力，必须通过增加壁厚或设置加强筋，才能防止变形。
影响真空绝缘水平的主要因素
空隙间隔
真空的击穿电压与空隙间隔有着比较清晰的关系。试验标明，当空隙间隔较小时，击穿电压跟着空隙间隔的添加而线性添加，但跟着空隙间隔的进一步添加，击穿电压的添加减缓，即真空空隙发作击穿的电场强度跟着空隙间隔的添加而减小。根据真空度国标真空被分为低真空（100000-100Pa）,中真空（100-0。当空隙到达一定的长度后，单靠添加空隙间隔进步耐压水平已经好不容易，这时选用多断口反而比单断口有利。
一般以为短空隙下的穿主要是场致发射引起的，而长空隙下的的穿则主要是微粒效应所致。
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