常见真空腔体技术性能
材质：不锈钢、铝合金等
腔体适用温度范围：-190℃~+1500℃(水冷)
密封方式：氟胶O型圈或金属无氧铜圈
出厂检测事项：
1、真空漏率检测1.3*10-10mbar*l/s
2、水冷水压检测：8公斤24小时无泄漏检测.
内外表面处理：拉丝抛光处理、喷砂电解处理、酸洗处理、电解抛光处理和镜面抛光处理等.
影响真空绝缘水平的主要因素
空隙间隔
真空的击穿电压与空隙间隔有着比较清晰的关系。试验标明，当空隙间隔较小时，击穿电压跟着空隙间隔的添加而线性添加，但跟着空隙间隔的进一步添加，击穿电压的添加减缓，即真空空隙发作击穿的电场强度跟着空隙间隔的添加而减小。当空隙到达一定的长度后，单靠添加空隙间隔进步耐压水平已经好不容易，这时选用多断口反而比单断口有利。进气口与筒体成偏疼放置，尘土随气流旋转，因离心力效果而沉降在过滤器的底部。
一般以为短空隙下的穿主要是场致发射引起的，而长空隙下的的穿则主要是微粒效应所致。
电极资料
真空开关作业在10-2Pa以上的高真空，因为此刻气体分子十分稀疏，气体分子的碰撞游离对击穿已经不起效果，因而击穿电压表现出和电极资料有较强的相关性。
真空空隙的击穿电压跟着电极资料的不同而不同，研究者发现击穿电压和资料的硬度与机械强度有关。一般来说，硬度和机械强度较高的资料，往往有较高的绝缘强度。比如，钢电极在淬火后硬度进步，其击穿电压较淬火前可进步80%。
此外，击穿电压还和阴极资料的物理常数如熔点、比热和密度等正相关，即熔点较高的资料其击穿电压也较高。比照热和密度而言亦然。这一问题的实质是在相同热能的效果下，资料发作熔化的概率越大，则击穿电压越低。
半导体真空腔体制造技术
真空腔体在薄膜涂层、微电子、光学器件和材料制造中，是一种能适应高真空环境的特殊容器。真空腔体通常包括一系列部品——如钟形罩、基板、传动轴以及辅助井——这些构成一个完整的真空腔体。
复杂的真空腔体通常需要定制，即针对应用终端进行专门的设计和制作。某些常见的真空腔体已经过预先设计，如手套箱、焊接室、脱气箱、表面分析真空腔等。例如脱气箱和手套箱一般采用低真空环境，可用于焊接，或用于塑料制品、复合材料层压板、封装组件等的脱气。影响真空绝缘水平的主要因素电极资料真空开关作业在10-2Pa以上的高真空，因为此刻气体分子十分稀疏，气体分子的碰撞游离对击穿已经不起效果，因而击穿电压表现出和电极资料有较强的相关性。
真空设备包含很多组件，如真空腔体，真空密封传导件，视口设置，真空传感器，真空显示表，沉积系统，蒸发源和蒸发材料，溅镀靶材，等离子刻蚀设备，离子注入设备，真空炉，专用真空泵，法兰，阀门和管件等。真空设备常用于脱气，焊接，制备薄膜涂层，生产半导体/晶圆、光学器件以及特殊材料等。真空腔体常用的清洗方法1、放电清洗放电清洗一般用于高真空、超高真空腔体清洗中。
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