正压法氦质谱检漏
采用正压法检漏时，需对被检产品内部密封室充入高于一个大气压力的氦气，当被检产品表面有漏孔时，氦气就会通孔漏孔进入被检外表面的周围大气环境中，再采用吸枪的方式检测被检产品周围大气环境中的氦气浓度增量，从而实现被检产品泄漏测量。按照收集氦气方式的不同，又可以将正压法分为正压吸枪法和正压累积法。其中正压吸枪法采用检漏仪吸枪对被检产品外表面进行扫描探查，可以实现漏孔的; 正压累积法采用有一定密闭功能的氦罩将被检产品全部罩起来，采用检漏仪吸枪测量一定时间段前后的氦罩内氦气浓度变化量，实现被检产品总漏率的测量。
正压法的优点是不需要辅助的真空系统，可以，实现任何工作压力下的检测。
正压法的缺点是检测灵敏度较低，检测结果不确定度大，受测量环境条件影响大。
正压法的检测标准主要有QJ3089-1999《氦质谱正压检漏方法》、QJ2862-1996《压力容器焊缝氦质谱吸枪罩盒检漏试验方法》，主要应用于大容积高压密闭容器产品的检漏，如高压氦气瓶、舱门检漏仪等。
喷氦法氦质谱检漏方法
这是常用的一种方法,一般用于检测体积相对较小的部件,将被检器件和仪器连通,在抽好真空后,在被检器件可能存在漏孔的地方(如密封接头,焊缝等) 用喷枪喷氦,如图4 所示,如果被检器件某处有漏孔,当氦喷到漏孔上时,氦气立即会被吸入到真空系统,从而扩散到质谱室中,氦质谱检漏仪的输出就会立即有响应,使用这种方法应注意:氦气是较轻的惰性气体,在喷出后会自动上升,为了准确的在漏孔位置喷氦,喷氦时应自上而下,由近至远(相对检漏仪位置) ,这是因为在喷下方时氦气有可能被上方漏孔吸入,就很难确定漏孔的位置;再者漏孔离质谱室的距离检漏仪反应时间也不同,所以喷氦应先从靠近检漏仪的一侧开始由近至远来进行。
氦气在在半导体中的检漏作用
为了防止半导体器件、集成电路等元器件的表面因玷污水汽等杂质而导致性能退化，就必须采用管壳来密封。但是在管壳的封接处或者引线接头处往往会因为各种原因而产生一些肉眼难以发现的小洞，所以在元器件封装之后，就需要采取某些方法来检测这些小洞的存在与否。 氦气检漏就是采用氦气来检查电子元器件封装管壳上的小漏洞。因为氦原子的尺寸很小，容易穿过小洞而进入到管壳内部，所以这种检测方法能够检测出尺寸很小的小洞（即能够检测出漏气速率约为10−11～10−12cm3/sec的小洞），灵敏度可与性检漏方法匹敌，但要比性检漏方法简便。
氦气检漏试验的方法：首先把封装好的元器件放入充满氦气的容器中，并加压，让氦气通过小洞而进入管壳中；然后取出，并用压缩空气吹去管壳表面的残留氦气；接着采用质谱仪来检测管壳外表所漏出的氦气。
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